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KF4N60F-U/PSF
N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- 这种平面条形 MOSFET 具有更好的特性，如开关时间快、导通电阻低、栅极电荷低以及出色的雪崩特性。它主要适用于电子镇流器和开关模式电源。
- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- KF4N60F-U/PSF
- 商品编号
- C294628
- 商品封装
- TO-220IS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.454克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款平面条形MOSFET具有更优的特性，如开关时间快、导通电阻低、栅极电荷低以及出色的雪崩特性。它主要适用于电子镇流器和开关模式电源。
商品特性
- 漏源极击穿电压(VDSS) = 600 V,漏极电流(ID) = 4 A
- 漏源导通电阻:在栅源电压(VGS) = 10 V时,RDS(ON) = 2.5 Ω
- 典型栅极电荷(Qg(typ)) = 10 nC
应用领域
-电子镇流器-开关模式电源
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