- 引脚图
- 焊盘图
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SQ2351CES-T1_GE3
P沟道 20V 3.2A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2351CES-T1_GE3
- 商品编号
- C26123375
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 265pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 无刷电机-负载开关-不间断电源