TK040N65Z,S1F(S

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

• 60V、35A，RDS(ON)=23mΩ（@VGS=10V）
• 改善的dv/dt能力
• 快速开关
• 有环保器件可供选择

• 电机驱动-电动工具-LED照明