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STM32H533RET6引脚图
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STM32H533RET6

32位MCU+TrustZone+FPU,250 MHz,512-Kbyte闪存,272-Kbyte RAM,加密功能

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描述
特性:包含意法半导体最先进的专利技术。带有TrustZone、FPU的Arm Cortex-M33 CPU,频率高达250 MHz,具备MPU,性能达375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。8 Kbyte指令缓存,可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行。4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。性能达1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1),1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。高达512 Kbyte带ECC的嵌入式闪存,两个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具备高循环能力(100 K周期)。2 Kbyte OTP(一次性可编程)
商品型号
STM32H533RET6
商品编号
C26082149
商品封装
LQFP-64(10x10)​
包装方式
托盘
商品毛重
1.150021克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核ARM Cortex-M33
CPU最大主频250MHz
CPU位数32 Bit
程序存储容量512KB
程序存储器类型FLASH
属性参数值
RAM容量272KB
EEPROM容量-
I/O数量49
振荡器类型内置+外置
工作电压1.71V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃

商品特性

  • 包括专利技术
  • Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)
  • 8 KB指令缓存,允许从闪存和外部存储器零等待状态执行;4 KB数据缓存用于外部存储器
  • 基准测试:1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1),1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)
  • 存储器:高达512 KB嵌入式闪存,带ECC,双库读同时写;每库高达48 KB,具有高循环能力(100 K周期)用于数据闪存;2 KB OTP(一次可编程);272 KB SRAM(80 KB SRAM2带ECC);2 KB备份SRAM在最低功耗模式下可用;灵活的外部存储器控制器,高达16位数据总线:SRAM、PSRAM、FRAM、NOR/NAND存储器;一个Octo-SPI存储器接口,支持串行PSRAM/NAND/NOR、超RAM/闪存帧格式;一个SD/SDIO/MMC接口
  • 封装选项:LQFP48(7 x 7 mm)、LQFP64(10 x 10 mm)、LQFP100(14 x 14 mm)、LQFP144(20 x 20 mm)、UFQFPN48(7 x 7 mm)、UFBGA100(7 x 7 mm)、UFBGA144(10 x 10 mm)、WLCSP39(2.76 x 2.78 mm,间距0.4 mm)

数据手册PDF

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