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CSD18531Q5A
1个N沟道 耐压:60V 电流:134A
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- 描述
- CSD18531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18531Q5A
- 商品编号
- C2683366
- 商品封装
- VSONP-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 134A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.84nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ST2317S23RG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 40V / -5.0A，RDS(ON) = 37 mΩ（典型值）@VGS = -10V
- 40V / -3.0A，RDS(ON) = 51 mΩ @VGS = -4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT - 23封装设计
应用领域
- 手机
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路