- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMZA75R040M1HXKSA1
基于碳化硅技术的MOSFET，适用于严苛环境，可实现高系统效率
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZA75R040M1HXKSA1
- 商品编号
- C26014944
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 耗散功率(Pd) | 185W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 99pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |
商品概述
750 V CoolSiC 基于英飞凌二十余年开发的坚实碳化硅技术。凭借宽禁带 SiC 材料的特性，750 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。它适用于高温和恶劣工况，能够以简化的方式实现最高系统效率，且具有成本效益。
商品特性
- 高度稳健的 750 V 技术，100% 经过雪崩测试
- 业界领先的 RDS(on) × Qff 值
- 优异的 RDS(on) × Qoss 和 RDS(on) × QG 值
- Ciss/Ciss 比值低与 VGS(th) 阈值电压高的独特组合
- 英飞凌专有的芯片贴装技术
- 提供驱动源极引脚
应用领域
- 电动汽车充电基础设施
- 太阳能光伏逆变器
- 不间断电源
- 储能与电池化成
- 电信与服务器开关电源