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VND1NV04TR-E
全自保护型功率MOSFET
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- 描述
- VND1NV04、VNN1NV04、VNS1NV04 是采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件，旨在用于从直流到 50 KHz 应用中替代标准功率 MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VND1NV04TR-E
- 商品编号
- C2680458
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 负载开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 1.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | - | |
| 导通电阻 | 250mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；过压保护(OVP)；短路保护(SCP)；过流保护(OCP) |
商品概述
VND1NV04、VNN1NV04、VNS1NV04是采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件，旨在替代从直流到50 KHz应用中的标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- ESD保护
- 直接接入功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
- 与标准功率MOSFET兼容