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GT130N10K
N沟道 耐压:100V 电流:60A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 阈值电压(Vgs(th))：4V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：9.5mΩ@10V 封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT130N10K
- 商品编号
- C25976116
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 474pF |
商品特性
- 低反向恢复电荷（QRR）、软恢复体二极管
- 低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗
- 低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流（DC-DC）和交流-直流（AC-DC）中的同步整流（SR）
- 隔离式直流-直流（DC-DC）转换器中的初级开关
- 电机驱动