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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@-10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.015nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
-国际标准封装-快速本征二极管-动态 dv/dt 额定值-雪崩额定值-Rugged PolarTM 工艺-低栅极电荷 (QG) 和低导通电阻 (Rds(ON))-低漏极到散热片电容-低封装电感-易于安装-节省空间-高功率密度
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-电流调节器-自动测试设备