L6747CTR

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: L6747CTR
商品编号: C2676992
商品封装: VFDFPN-8(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	-
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	工作温度	0℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	-
	功能特性	使能关断；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

L6747C是一款灵活的高频双驱动器，专门设计用于驱动采用同步整流降压拓扑连接的N沟道MOSFET。该驱动器与意法半导体（ST）的PWM控制器相结合，可实现适用于现代大电流CPU的完整电压调节器解决方案，以及一般的DC-DC转换。 L6747C集成了用于高端和低端MOSFET的大电流驱动器。该器件支持5 V至12 V的灵活电源供电，可优化高端和低端栅极驱动电压，以最大限度提高系统效率。防直通管理可防止高端和低端MOSFET同时导通，并结合自适应死区时间控制，最大限度减少低端体二极管导通时间。 L6747C具备预过压（OV）保护功能，可保护负载免受启动时MOSFET故障导致的危险过电压影响。该驱动器采用3x3 mm的VFDFPN8封装。

商品特性

用于同步整流转换器的双MOSFET驱动器
大驱动电流，可实现外部MOSFET快速开关
高频运行
使能引脚
自适应死区时间管理
灵活的栅极驱动：兼容5 V至12 V
输出级关断的高阻抗（HiZ）管理
预过压（OV）保护
3x3 mm的VFDFPN8封装

应用领域

用于台式机/服务器/工作站CPU的大电流电压调节模块（VRM）/电压调节装置（VRD）
大电流、高效率DC-DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3.5A
	拉电流(IOH)	3.5A
	工作电压	5V~12V
	上升时间(tr)	-