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GT110N06M
N沟道 耐压:60V 电流:45A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：45A 阈值电压(Vgs(th))：2.4V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：7.5mΩ@10V 封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT110N06M
- 商品编号
- C25907101
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GT110N06M采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：60V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS）= 10V时）：45A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时）：< 9mΩ
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = 4.5V时）：< 13mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器