THBT20011DRL
THBT20011DRL
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- THBT20011DRL
- 商品编号
- C2667523
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 半导体放电管(TSS) | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 180V | |
| 开关电压(Vs) | 290V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 30A | |
| 漏电流 | 5uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 保持电流(Ih) | 150mA | |
| 通态电压(Vt) | - | |
| 通态电流(It) | - | |
| 断态电容(Co) | 80pF |
商品概述
这些设备专为电信设备保护而设计，提供三重双向保护功能。它们确保在纵向模式和横向模式下具有相同的击穿电压和相同的保护能力。特别注意了内部引线键合。“4点”配置确保了可靠的保护，消除了由布线寄生电感引起的过电压（Ldi/dt），尤其是在非常快速的瞬态过电压情况下。针对多种类型的浪涌定义了动态特性，以满足SLIC的最大额定值。
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