TISP8200MDR-S
TISP8200MDR-S
- 品牌名称
- BOURNS
- 商品型号
- TISP8200MDR-S
- 商品编号
- C2667454
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 半导体放电管(TSS) | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 82V | |
| 开关电压(Vs) | - | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 45A | |
| 漏电流 | 50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 保持电流(Ih) | 150mA | |
| 通态电压(Vt) | - | |
| 通态电流(It) | - | |
| 断态电容(Co) | 35pF |
商品概述
TISP8200M/TISP8201M组合器件旨在保护双极性电源轨单片式用户线接口电路(SLIC)免受电话线路上由雷击、交流电源接触和感应引起的过电压影响。TISP8200M用于防护负过电压,TISP8201M用于防护正过电压。这两款器件均采用8引脚小外形表面贴装封装。
TISP8200M包含两个带缓冲的P栅极可控硅整流器(SCR)阵列,它们的阳极共接。每个SCR的阴极和栅极都有独立的引脚连接。NPN缓冲晶体管可降低栅极供电电流。
在实际应用中,TISP8200M SCR的阴极连接到POTS线路的两根导线,栅极连接到驱动该线路导线对的SLIC的相应负电压电池馈电端。这样可确保TISP8200M的保护电压跟踪SLIC的负电源电压。TISP8200M的阳极连接到SLIC公共端。
负过电压最初通过NPN缓冲晶体管的射极跟随器作用被钳位在接近SLIC负电源电压的水平。如果有足够的钳位电流流过,SCR将发生再生并切换到低电压导通状态。当过电压消失时,SCR的高维持电流有助于防止直流闩锁。
TISP8201M包含两个带缓冲的N栅极SCR阵列,它们的阴极共接。每个SCR的阳极和栅极都有独立的引脚连接。PNP缓冲晶体管可降低栅极供电电流。
在实际应用中,TISP8201M SCR的阳极连接到POTS线路的两根导线,栅极连接到驱动该线路对的SLIC的相应正电压电池馈电端。这样可确保TISP8201M的保护电压跟踪SLIC的正电源电压。TISP8201M的阴极连接到SLIC公共端。
正过电压最初通过PNP缓冲晶体管的射极跟随器作用被钳位在接近SLIC正电源电压的水平。如果有足够的钳位电流流过,SCR将发生再生并切换到低电压导通状态。当过电压消失时,SLIC将导线电压拉低至其正常的负值,这会使导通的SCR进入反向偏置状态。
商品特性
- 0至 -90 V宽编程范围
- 最大5 mA低栅极触发电流
- 最小 -150 mA高维持电流
- 0至 +90 V宽编程范围
- 最大 -5 mA低栅极触发电流
- 最小20 mA维持电流
- 适用于国际浪涌波形
- 表面贴装小外形封装
- 获得相关机构认证
- UL认证元件
优惠活动
购买数量
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