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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CG2H40010F
10 W, DC - 8 GHz, RF功率氮化镓高电子迁移率晶体管
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- 描述
- 是一种无匹配的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，工作在 28 伏电源轨上，为各种 RF 和微波应用提供通用宽带解决方案。GaN HEMT 具有高效率、高增益和宽带宽能力，使其适用于线性和压缩放大器电路。该晶体管有螺丝固定法兰和焊接封装两种封装形式。
- 品牌名称
- MACOM(镁可)
- 商品型号
- CG2H40010F
- 商品编号
- C25848277
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | D-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.19pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.186pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.84pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
商品概述
CG2H40010是一款性能卓越的氮化镓高电子迁移率晶体管。该器件采用28V电源供电，为各种射频和微波应用提供通用的宽带解决方案。氮化镓高电子迁移率晶体管具备高效率、高增益和宽带宽能力，使得CG2H40010非常适用于线性和压缩放大器电路。该晶体管提供螺钉安装法兰封装和焊接安装柱式封装两种形式。
应用领域
- 双向专用无线电
- 宽带放大器
- 蜂窝基础设施
- 测试仪器
- A类、AB类线性放大器