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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MCP61S

高频数字双端互电容处理器芯片

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描述
高频数字双端互电容处理器芯片,集成Arm®Cortex®-M0内核微处理器,可实现各种嵌入式感知处理算法,将原始振荡频率数值转换成电容值及液位、含水率、位移距离等物理量。电容测量范围1pF~1000pF,频率范围0.1MHz~20MHz,供电电压2.5V~5.5V,工作温度范围-40℃~+85℃,平均功耗12uA@1Hz,QFN24封装,广泛用于连续液位检测、水浸检测、物质介电检测等场景。
商品型号
MCP61S
商品编号
C25836888
商品封装
QFN-24-EP(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0783克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录电容传感IC
传感容量范围1pF~1000pF
通道数2
有效分辨率(ENOB)-
属性参数值
工作电压2.5V~5.5V
接口类型I2C;SPI
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

MCP61系列是新一代电容传感微处理器SOC芯片,集成了双通道电容型模拟前端传感电路(AFCAP),可直接与被测物附近的差分电容极板相连,通过谐振激励并解算测量微小电容的变化。激励频率在0.1~20MHz范围内可配置,其频率测量输出为16bit数字信号,对应的电容感知最高分辨率为1fF。为了解决各行业的电容传感应用,SOC芯片集成了Arm Cortex-M0内核的微处理器,可实现各种嵌入式感知处理的算法,将原始的振荡频率数值,转换成电容值及液位、含水率、位移距离等具体物理量。此外,芯片的模拟前端还集成了温度传感电路,可用于进行温度补偿的传感场景。内置的16KB Flash存储器,2KB SRAM,可让开发者编写应用软件,并存储传感校准及应用数据。芯片同时集成了ADC、高级定时器、通用定时器、位基本定时器等硬件资源以及USART、SPI和I2C接口。

商品特性

  • 电容检测前端
    • 测量双端互电容
    • 电容测量范围:1~1000pF
    • 电容检测频率:0.1~20MHz
  • 内核与系统
    • 32-bit Arm Cortex-M0
    • 工作频率可达48MHz
  • 存储器
    • 16KB Flash存储器
    • 2KB SRAM
  • 时钟、复位和电源管理
    • 2.5V~5.5V供电
    • 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)
    • 内嵌48MHz HSI高速振荡器
    • 内嵌40KHz LSI低速振荡器
    • 支持最高48MHz外部时钟输入(HSE,通过OSCIN引脚)
  • 低功耗
    • 多种低功耗模式,包括:睡眠(Sleep)、停机(Stop)和深度停机(Deep Stop)
    • 平均功耗:12uA@1Hz
  • 5个定时器
    • 1个16位4通道高级控制定时器(TIM1)
    • 1个16位4通道通用定时器(TIM3)
    • 1个16位基本定时器(TIM14)
    • 1个独立时钟的硬件看门狗定时器(IWDG)
    • 1个Systick定时器:24位自减型计数器
  • 11个快速I/O端口
    • 所有I/O口可以映像到外部中断
    • 所有端口均可输入输出电压不高于VDD的信号
  • 3个通信接口
    • 1个USART接口(支持SPI模式)
    • 1个I2C接口
    • 1个SPI接口
  • 1个12位模数转换器(ADC),支持最快1μs转换时间(1MSPS采样率),配置5个外部通道和1个可采集内置参考电压的内部通道
  • CRC计算单元
  • 96位芯片唯一ID(UID)
  • 调试模式
    • 串行调试接口(SWD)接口
  • 工作温度范围: -40°C~ +85°C
  • QSOP24/QFN24封装可选

应用领域

  • 连续液位检测
  • 水浸检测
  • 物质介电检测

数据手册PDF

优惠活动

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(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个5000个/圆盘

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