- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AS4C1G32MD4V-046BIN
AS4C1G32MD4V-046BIN
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- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- AS4C1G32MD4V-046BIN
- 商品编号
- C25831127
- 商品封装
- FBGA-200(10x15)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动预充电；自动刷新；高速时钟同步 |
商品特性
- 双倍数据率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 双向数据选通（DQS_t， DQS_c）；这些信号与数据一同发送/接收，用于在接收端捕获数据
- 差分时钟输入（CK_t 和 CK_c）
- 差分数据选通（DQS_t 和 DQS_c）
- 命令和地址在 CK 上升沿输入；数据和数据掩码参考 DQS 的两个边沿
- 每个通道包含 8 个内部存储体
- DMI 引脚功能：正常写入和读取操作时为 DBI（数据总线反转），DBI 关闭时的掩码写入操作为数据掩码（DM），DBI 开启时通过计算 DQ 中为 1 的数量进行掩码写入
- 突发长度：16， 32（OTF）
- 突发类型：顺序
- 读取和写入延迟：请参阅 LPDDR4x 交流时序表
- 每次突发访问的可选自动预充电功能
- 可配置的驱动强度
- 刷新和自刷新模式
- 部分阵列自刷新和温度补偿自刷新
- 写入均衡
- CA 校准
- 内部 VREF 和 VREF 训练
- 基于 FIFO 的写入/读取训练
- MPC（多用途命令）
- LVSTLE（低电压摆幅终端逻辑扩展）输入/输出
- VDD1/VDD2/VDDQ 电压：1.8V/1.1V/0.6V
- VSSQ 终端
- 无延迟锁定环（DLL）：CK 与 DQS 不同步
- 边沿对齐的数据输出，通过写入训练实现数据输入中心对齐
- 刷新速率：3.9us
- 8 Gb = 64 M × 16 DQ × 8 banks × 1 channel
- 16 Gb = 64 M × 16 DQ × 8 banks × 2 channel
- 32 Gb = 64 M × 16 DQ × 8 banks × 2 channels × 2 ranks