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A4956GESTR-T实物图
  • A4956GESTR-T商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

A4956GESTR-T

有刷直流电机驱动芯片 50V

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描述
A4956专为直流电机的脉宽调制(PWM)控制而设计,能够在50 V电压下工作,并为全n沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。该器件设有输入端子,用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路,可降低PWM工作期间的功耗
商品型号
A4956GESTR-T
商品编号
C2653560
商品封装
QFN-20-EP(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置全桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)68mA
拉电流(IOH)30mA
属性参数值
工作电压5.5V~50V
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP);过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+105℃
输入高电平(VIH)2V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)6mA

商品概述

A4956专为直流电机的脉宽调制(PWM)控制而设计,能够在50 V电压下工作,并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。 该器件设有输入端子,可利用外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路,可降低PWM运行期间的功耗。 内部电路保护功能包括VDS保护、带迟滞功能的热关断、VBB欠压监测以及交越电流保护。 A4956提供两种封装形式:低外形4×4 mm、20引脚QFN封装(后缀“ES”)和20引脚eTSSOP封装(后缀“LP”),两种封装均带有外露散热焊盘。

商品特性

  • 相位/使能/模式控制逻辑
  • 过流指示
  • 可调节关断时间和消隐时间
  • 可调节电流限制
  • 可调节栅极驱动
  • 同步整流
  • 内部欠压锁定(UVLO)
  • 交越电流保护
  • MOSFET VDS保护
  • 与负载电流成比例的电压输出
  • 外部PWM衰减模式选择

数据手册PDF

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(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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