商品概述

SN74ACT2227和SN74ACT2229是双FIFO器件，适用于广泛的串行数据缓冲应用，包括最高OC-1电信速率的弹性存储。芯片上的每个FIFO被配置为64×1位（SN74ACT2227）或256×1位（SN74ACT2229），并具有用于独立操作的控制信号和状态标志。每个FIFO的输出标志包括输入就绪（1IR或2IR）、输出就绪（1OR或2OR）、半满（1HF或2HF）以及几乎满/几乎空（1AF/AE或2AF/AE）。当写使能（1WRTEN或2WRTEN）输入和输入就绪标志（1IR或2IR）输出均为高电平时，串行数据在写时钟（1WRTCLK或2WRTCLK）输入的低到高跳变沿写入FIFO。当读使能（1RDEN或2RDEN）输入和输出就绪标志（1OR或2OR）输出均为高电平时，串行数据在读时钟（1RDCLK或2RDCLK）输入的低到高跳变沿从FIFO读出。同一个FIFO的读时钟和写时钟可以相互异步。当输出使能（1OE或2OE）输入为低电平时，FIFO数据输出（1Q或2Q）处于高阻态。每个输入就绪标志（1IR或2IR）通过两个触发器级同步到其写时钟（1WRTCLK或2WRTCLK），每个输出就绪标志（1OR或2OR）通过三个触发器级同步到其读时钟（1RDCLK或2RDCLK）。这种多级同步确保了异步写入和读取数据时标志输出状态的可靠性。当FIFO中存储的位数大于等于FIFO深度的一半时，半满标志（1HF或2HF）为高电平。当FIFO中存储的位数小于等于8位，或者FIFO中剩余的空位置小于等于8个时，几乎满/几乎空标志（1AF/AE或2AF/AE）为高电平。输出端的数据位不会存储在FIFO中。SN74ACT2227和SN74ACT2229的工作温度范围为-40℃ 至 85℃。

商品特性

双独立FIFO结构，SN74ACT2227每个FIFO为64字×1位，SN74ACT2229每个FIFO为256字×1位
每个FIFO的自由运行读时钟和写时钟可异步工作也可同步工作
输入就绪标志同步到写时钟
输出就绪标志同步到读时钟
具备半满标志以及几乎满/几乎空标志
支持最高60 MHz的时钟频率
存取时间为9 ns
三态数据输出
低功耗先进CMOS技术
采用28引脚SOIC封装

应用领域

串行数据缓冲
OC-1电信速率弹性存储

	属性	参数值
	商品目录	FIFO存储器
	存储容量	256x1x2
	时钟频率(fc)	60MHz
	工作电压	4.5V~5.5V
	工作电流	400uA
	访问时间	9ns

	属性	参数值
	功能	同步
	总线方向	单向
	可编程标志支持	无
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	输出使能

SN74ACT2229DWR

商品参数

商品概述

商品特性

应用领域