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LGE3M50120Q
碳化硅功率MOSFET，高压、低导通电阻、高速、低寄生电容
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- LGE3M50120Q
- 商品编号
- C25705283
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 耗散功率(Pd) | 344W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 106pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |
商品特性
- 高电压，低导通电阻
- 高速，低寄生电容
- 高结温
- 快速恢复二极管
- 开尔文连接驱动器
应用领域
- 电机驱动
- 光伏逆变器
- UPS电源
- 高压DC / DC转换器
- 开关电源