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G2R1000MT17J
1700V 1000mΩ SiC MOSFET
- 描述
- 特性：G2R™ 技术。更软的 RDS(ON) 与温度相关性。LoKing™ 电磁优化设计。更小的 RGS(INT) 和更低的 QG。低器件电容（Coss，CRSS）。行业领先的 UIL 和短路鲁棒性。应用：辅助电源。太阳能逆变器（组串式和集中式）
- 品牌名称
- Navitas(纳微)
- 商品型号
- G2R1000MT17J
- 商品编号
- C25646208
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 111pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω |