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MX25V2033FM1I-TR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25V2033FM1I-TR

2.3V-3.6V,2Mbit CMOS串行多I/O闪存

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描述
特性:2.3V-3.6V 用于读取、擦除和编程操作。支持唯一 ID 数据 (UID)。支持多 I/O。单 I/O、双 I/O 和四 I/O
品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25V2033FM1I-TR
商品编号
C25615337
商品封装
SOP-8-150mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.20443克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量2Mbit
时钟频率(fc)80MHz
工作电压2.3V~3.6V
待机电流10uA
擦写寿命100000次
属性参数值
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)1ms
块擦除时间(tBE)300ms@(32KB)
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品概述

该器件支持串行外设接口的模式0和模式3,采用2,097,152×1位、1,048,576×2位或524,288×4位的存储结构。存储器由4KB的等大小扇区或32KB/64KB的等大小块组成,每个块均可独立擦除。该器件采用单电源供电,读、擦除和编程操作的工作电压范围为2.3V~3.6V。其闩锁保护能力达到从-1V至Vcc+1V范围内100mA。

商品特性

  • 读、擦除和编程操作的工作电压范围为2.3V~3.6V
  • 支持ID数据
  • 支持多I/O接口:单I/O、双I/O和四I/O
  • 提供额外的4K位安全一次性可编程存储器
  • 具备保持功能
  • 支持串行外设接口的模式0和模式3
  • 存储器结构为2,097,152×1位、1,048,576×2位或524,288×4位
  • 存储器由4KB的等大小扇区或32KB/64KB的等大小块组成
  • 每个块均可独立擦除
  • 采用单电源供电
  • 闩锁保护能力达到从-1V至Vcc+1V范围内100mA
  • 高性能:快速读取(1 I/O:2.7V~3.6V下80MHz带8个虚拟周期,2.3V~2.7V下50MHz带8个虚拟周期;2 I/O:2.7V~3.6V下80MHz带4个虚拟周期,2.3V~2.7V下50MHz带4个虚拟周期;4 I/O:2.7V~3.6V下60MHz带4个虚拟周期,2.3V~2.7V下33MHz带4个虚拟周期)
  • 快速编程时间:每页1ms
  • 字节编程时间:30μs
  • 快速擦除时间:典型值50ms每扇区,0.3s每32KB块,0.6s每64KB块,2s每芯片
  • 低功耗

数据手册PDF