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W989D6DBGX6I
W989D6DBGX6I
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- 描述
- 低功耗同步内存，包含536,870,912个存储单元，采用高性能工艺技术制造。 设计功耗低于普通SDRAM，具备低功耗特性，适用于电池供电的应用。 有两种组织形式：4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字×4个存储体×16位。 以完全同步模式运行，输出数据与系统时钟的正边沿同步，能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。 支持部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）等特殊低功耗功能。
- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W989D6DBGX6I
- 商品编号
- C2641243
- 商品封装
- VFBGA-54(8x9)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | SDRAM - 移动 LPSDR |
| 存储器格式 | DRAM |
| 时钟频率 | 166MHz |
| 存储容量 | 512Mb（32M x 16） |
| 访问时间 | 5ns |
| 封装/外壳 | 54-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 供应商器件封装 | 54-VFBGA（8x9） |
| 写周期时间-字，页 | 15ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压-供电 | 1.7V ~ 1.95V |
优惠活动
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