N79E352RADG
N79E352RADG
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- 品牌名称
- NUVOTON(新唐)
- 商品型号
- N79E352RADG
- 商品编号
- C2640497
- 商品封装
- DIP-40
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | 51家族 | |
| CPU最大主频 | 24MHz | |
| CPU位数 | 8 Bit | |
| 程序存储容量 | 8KB | |
| 程序存储器类型 | FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| RAM容量 | 256Byte | |
| EEPROM容量 | 128Byte | |
| I/O数量 | 32 | |
| 振荡器类型 | 内置 | |
| 工作电压 | 2.4V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
N79E352(R) 是一款8位Turbo 51微控制器,具有可编程硬件写入的闪存EPROM。N79E352(R) 的指令集与标准8052完全兼容。N79E352(R) 包含8K字节的主闪存EPROM;256字节的RAM;128字节的NVM数据闪存EPROM;三个16位定时器/计数器;2通道8位PWM;1通道UART和1个额外的输入捕获。这些外设由11个中断源支持,具有四级中断能力。为了便于编程和验证,N79E352(R) 内部的闪存EPROM允许程序存储器进行电子编程和读取。一旦代码确认无误,用户可以保护代码以确保安全。N79E352(R) 专为成本效益高的应用而设计,适用于工业设备和其他低功耗应用。
商品特性
- 全静态设计8位Turbo 51 CMOS微控制器,当VDD = 4.5V至5.5V时最高可达24MHz,当VDD = 2.7V至5.5V时最高可达12MHz,当VDD = 2.4V至5.5V时最高可达4MHz。
- 8K字节的AP Flash EPROM,支持外部写入编程模式。
- 256字节的片上RAM。
- 128字节NVM Data Flash EPROM用于客户数据存储,可写入10k次。
- 指令集与MCS-51兼容。
- 片上可配置RC振荡器:22.1184MHz/11.0592MHz(通过配置位选择),精度为±2%。
- 三个16位定时器/计数器。
- 一个输入捕获。
- 11个中断源,具有四个优先级。
- 一个增强型全双工串行端口,具备帧错误检测和自动地址识别功能。
- AL 4输出模式和TTL/Schmitt触发器可选端口。
- 可编程看门狗定时器,内置20KHz RC时钟,可在掉电模式下唤醒,并在5V时功耗低于10uA。
- 两个通道8位PwM。
- 一个I2C通信端口。
- 双16位数据指针。
- 软件可编程访问周期到外部RAM/外设。
- 八个按键中断输入,共享同一中断源。
- 所有端口引脚均具有LED驱动能力(20mA),总电流100mA。
- 低电压(3个等级)检测中断和复位。
- 工业温度等级 -40℃ 至 85℃。
- 封装:
- 无铅(RoHS)DIP40: N79E352RADG
- 无铅(RoHS)PLCC44: N79E352RAPG
- 无铅(RoHS)PQFP44: N79E352RAFG
- 无铅(RoHS)LQFP48: N79E352RALG
- 无铅(RoHS)DIP40: N79E352ADG
- 无铅(RoHS)PLCC44: N79E352APG
- 无铅(RoHS)PQFP44: N79E352AFG
- 无铅(RoHS)LQFP48: N79E352ALG
优惠活动
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