MAP6KE100AE3
MAP6KE100AE3
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MAP6KE100AE3
- 商品编号
- C2635642
- 商品封装
- T-18
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 85.5V | |
| 钳位电压 | 137V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 600W | |
| 击穿电压 | 95V | |
| 类型 | TVS |
应用领域
- 击穿电压(VBR)可选范围为 6.8 至 200 伏
- 适用于通孔安装的经济型瞬态电压抑制器(TVS)系列
- 保护敏感元件,如集成电路(IC)、互补金属氧化物半导体(CMOS)、双极型晶体管、双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)、发射极耦合逻辑(ECL)、二极管晶体管逻辑(DTL)、晶体管晶体管逻辑(TTL)等
- 保护电路免受开关瞬变和感应射频干扰
- 分别符合 IEC 61000 - 4 - 2 和 IEC 61000 - 4 - 4 标准,用于静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)保护
- 按照 IEC61000 - 4 - 5 标准,源阻抗为 42 欧姆时的二次雷击保护:1 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE130A 或 CA;2 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE68A 或 CA;3 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE36A 或 CA;4 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE18A 或 CA
- 按照 IEC61000 - 4 - 5 标准,源阻抗为 12 欧姆时的二次雷击保护:1 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE43A 或 CA;2 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE22A 或 CA
