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GT1K2P15M
P沟道 耐压:150V 电流:27A
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-150V 连续漏极电流(Id)：-27A 阈值电压(Vgs(th))：-3.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：95mΩ@10V 103mΩ@4.5V 封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT1K2P15M
- 商品编号
- C25536357
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 138W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.186nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
GT1K2P15M 采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷特性。它可应用于多种场合。
商品特性
- Vds:-150V
- ID(VGS = -10 V 时):-27A
- RDS(ON)(VGS = -10 V 时):< 120mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V 时):< 130mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器