MAP6KE56CAE3
MAP6KE56CAE3
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MAP6KE56CAE3
- 商品编号
- C2634492
- 商品封装
- T-18
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 47.8V | |
| 钳位电压 | 77V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 7.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 600W | |
| 击穿电压 | 53.2V | |
| 类型 | TVS |
应用领域
- 击穿电压（VBR）从6.8V到200V可选
- 用于通孔安装的经济型瞬态电压抑制器（TVS）系列
- 保护如集成电路（IC）、互补金属氧化物半导体（CMOS）、双极型、双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）、发射极耦合逻辑（ECL）、二极管晶体管逻辑（DTL）、晶体管逻辑（TL）等敏感元件
- 防止开关瞬变和感应射频干扰
- 分别符合IEC 61000 - 4 - 2和IEC 61000 - 4 - 4标准，用于静电放电（ESD）和电快速瞬变（EFT）保护
- 符合IEC61000 - 4 - 5标准的二次雷击保护，源阻抗为42欧姆：1级：MP6KE6.8A至MP6KE130A或CA；2级：MP6KE6.8A至MP6KE68A或CA；3级：MP6KE6.8A至MP6KE36A或CA；4级：MP6KE6.8A至MP6KE18A或CA
- 符合IEC61000 - 4 - 5标准的二次雷击保护，源阻抗为12欧姆：1级：MP6KE6.8A至MP6KE43A或CA；2级：MP6KE6.8A至MP6KE22A或CA
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