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MAP6KE56AE3

MAP6KE56AE3

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商品型号
MAP6KE56AE3
商品编号
C2634448
商品封装
T-18​
包装方式
袋装
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)47.8V
钳位电压77V
峰值脉冲电流(Ipp)7.8A
属性参数值
峰值脉冲功率(Ppp)600W
击穿电压53.2V
类型TVS

应用领域

  • 击穿电压 (VBR) 可选范围为 6.8 至 200 伏
  • 适用于通孔安装的经济型瞬态电压抑制 (TVS) 系列
  • 保护敏感元件,如集成电路 (IC)、互补金属氧化物半导体 (CMOS)、双极型、双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS)、发射极耦合逻辑 (ECL)、二极管晶体管逻辑 (DTL)、晶体管逻辑 (TL) 等
  • 保护电路免受开关瞬变和感应射频干扰
  • 分别符合 IEC 61000 - 4 - 2 和 IEC 61000 - 4 - 4 标准,提供静电放电 (ESD) 和电快速瞬变 (EFT) 保护
  • 按 IEC61000 - 4 - 5 标准,源阻抗为 42 欧姆时的二次雷击保护:1 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE130A 或 CA;2 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE68A 或 CA;3 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE36A 或 CA;4 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE18A 或 CA
  • 按 IEC61000 - 4 - 5 标准,源阻抗为 12 欧姆时的二次雷击保护:1 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE43A 或 CA;2 级:MP6KE6.8A 至 MP6KE22A 或 CA

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