1N6506
1N6506
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- 1N6506
- 商品编号
- C2631082
- 商品封装
- CDIP-14
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | - | |
| 钳位电压 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲电流(Ipp) | - | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - | |
| 击穿电压(VBR) | - |
商品概述
这些采用共阴极配置的低电容二极管阵列由多个独立隔离的结通过平面工艺制造而成,并封装在10引脚封装内,用作导向二极管,通过将静电放电、电快速瞬变或浪涌引导至电源线的正极侧,从而保护多达八个输入/输出端口。该电路应用还可与具有共阳极配置的1N6507配合使用以形成互补。可在正电源线与地之间添加外部瞬态电压抑制二极管,以防止电源轨上出现过压。它们也可用于快速开关核心驱动器应用,包括计算机及外围设备,例如磁芯存储器、薄膜存储器、镀线存储器等,以及解码或编码应用。这些阵列具有集成电路的诸多优点,例如高密度封装和更高的可靠性,这得益于减少了拾放操作次数、更小的占板面积、更轻的重量,并且消除了各种在印刷电路板安装中可能不太方便使用的分立式封装。
商品特性
- 气密性陶瓷封装
- 隔离二极管以消除串扰电压
- 高击穿电压:在10μA电流下,V_BR > 60V
- 低漏电流:在40V电压下,I_R < 100nA
- 低电容:C < 4.0 pF
- 开关速度小于20 ns
应用领域
- 高频数据线
- RS-232和RS-422接口网络
- 以太网
- 计算机输入/输出端口
- 局域网
- MXPLAD7.5KP43AE3
- MXLPLAD15KP15AE3
- MXPLAD18KP40AE3
- MXLPLAD18KP8.5A
- MXPLAD18KP90AE3
- MXPLAD7.5KP40AE3
- MXLPLAD15KP150AE3
- MXPLAD18KP43AE3
- MPLAD18KP150AE3
- MXPLAD7.5KP36AE3
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- MXLPLAD18KP70A
- MXPLAD7.5KP33AE3
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