1N6369

此1N6358至1N6372瞬态电压抑制器（TVS）系列是JEDEC注册的单向和双向器件选型。1N6358至1N6364为单向器件，1N6366至1N6372为双向器件，它们在各自的击穿电压（VBR）以上，均能提供极低的指定箝位系数，以实现最小箝位电压（VC）。这些器件常用于保护敏感元件，使其免受感应开关瞬变或IEC61000 - 4 - 5标准中较低浪涌水平下的感应二次雷击影响。由于其响应时间几乎是瞬间的，它们还能按照IEC61000 - 4 - 2和IEC61000 - 4 - 4标准防护静电放电（ESD）和电快速瞬变脉冲群（EFT）。

• 轴向封装的单向和双向TVS系列，适用于通孔安装。
• 在10/1000 μs条件下可抑制高达1500瓦的瞬态电压。
• 箝位时间（从0伏到最小V(BR)）：单向 - 小于100皮秒；双向 - 小于5纳秒。
• 工作电压（VWM）范围为10 V至45 V。
• 低箝位系数（实际VC与VBR之比）：在额定全功率下为1.33，在50%额定功率下为1.20。
• 密封的DO - 13金属封装。
• 可提供参照MIL - PRF - 19500标准的筛选服务。
• 有符合RoHS标准的版本。

• 旨在保护基于双极型和MOS微处理器的系统。
• 防护开关瞬变和感应射频。
• 按照IEC 61000 - 4 - 2和IEC 61000 - 4 - 4标准防护ESD和EFT。
• 按照IEC61000 - 4 - 5标准，源阻抗为42欧姆时的二次雷击防护：1类、2类和3类：1N6358至1N6372；4类：1N6358至1N6362以及1N6366至1N6370。按照IEC61000 - 4 - 5标准，源阻抗为12欧姆时的二次雷击防护：1类和2类：1N6358至1N6372；3类：1N6358至1N6362以及1N6366至1N6370；4类：1N6358和1N6366。按照IEC61000 - 4 - 5标准，源阻抗为2欧姆时的二次雷击防护：2类：1N6358至1N6361以及1N6366至1N6369；3类：1N6358和1N6366。