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NCEP60T20
1个N沟道 耐压:60V 电流:200A
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- 描述
- NCEP60T20采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP60T20
- 商品编号
- C284868
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
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