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NCEP60T20实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP60T20

1个N沟道 耐压:60V 电流:200A

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描述
NCEP60T20采用了超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
商品型号
NCEP60T20
商品编号
C284868
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.84克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))2.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)255W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)130nC@10V
输入电容(Ciss)9.2nF@30V
反向传输电容(Crss)61pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

NCEP60T20采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 200A
  • RDS(ON) = 1.8mΩ(典型值)@ VGS = 10V
  • 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 工作温度175°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试

应用领域

  • DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF