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STL165N10F8AG
汽车用N沟道增强型功率MOSFET，采用STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅结构，导通电阻低，开关速度快且效率高
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL165N10F8AG
- 商品编号
- C25204269
- 商品封装
- PowerFLAT5x6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 关断延迟时间(Td(off)) | 60ns | |
| 反向恢复时间(Trr) | 74ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
STL165N10F8AG是一款采用STripFET F8技术设计的100V N沟道增强型功率MOSFET，具有增强型沟槽栅极结构。它确保了极低导通电阻的卓越品质因数，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
商品特性
- 通过AEC - Q101认证
- MSL1等级
- 最高工作结温175°C
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷Qg
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 汽车电机控制
- 电动出行