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SIC544CD-T1-GE3实物图
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SIC544CD-T1-GE3

45 A VRPower集成功率级

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描述
是一种为同步降压应用优化的集成功率级解决方案,可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用4.5mm×3.5mm MLP封装,使电压调节器设计能够每相提供高达45A的连续电流。内部功率MOSFET采用先进的第四代TrenchFET技术,可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动IC,具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能,以提高轻载效率。驱动器还与各种PWM控制器兼容,支持三态PWM和5V PWM逻辑。包含用户可选的二极管仿真模式(ZCD_EN#),以提高轻载性能。支持PS4模式,以降低系统在待机状态下的功耗。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIC544CD-T1-GE3
商品编号
C25187375
包装方式
袋装
商品毛重
0.076667克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

SiC544是一款针对同步降压应用优化的集成电源级解决方案,旨在提供高电流、高效率和高功率密度性能。该器件采用4.5 mm x 3.5 mm MLP封装,使电压调节器设计能够实现每相高达45 A的连续电流输出。其内部功率MOSFET采用先进的第四代TrenchFET技术,实现了业界领先的性能,显著降低了开关损耗和导通损耗。SiC544集成了一个先进的MOSFET栅极驱动器IC,具备高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管以及用于提升轻载效率的零电流检测功能。该驱动器兼容多种PWM控制器,支持三态PWM和5 V PWM逻辑。器件包含用户可选的二极管仿真模式以改善轻载性能,并支持PS4模式以降低系统处于待机状态时的功耗。

商品特性

  • 采用热增强型PowerPAK MLP4535-22L封装
  • 采用第四代MOSFET技术,低侧MOSFET集成肖特基二极管
  • 可提供高达45 A的连续电流
  • 高效率性能
  • 支持高达2 MHz的高频工作
  • 具备上电复位功能
  • 5 V PWM逻辑,支持三态和保持关断
  • 支持PS4模式轻载要求,关断时供电电流极低
  • 具备欠压锁定保护功能

应用领域

  • 用于计算、显卡和内存的多相电压调节器
  • 英特尔IMVP-8 VRPower供电
  • 输入电压高达24 V的直流/直流电压调节模块

数据手册PDF