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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 750 | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这些器件采用平面基底岛技术制造，具有单片达林顿结构。
商品特性
- 良好的hFE线性度
- 高fT频率
- 集成反并联集电极 - 发射极二极管的单片达林顿结构
应用领域
- 线性和开关工业设备