EPC2152ENGRT

EPC2152是一款集成了驱动器和eGaN FET半桥功率级的单芯片产品系列。集成是通过EPC专有的氮化镓（GaN）IC技术实现的。输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路以及配置为半桥的eGaN输出场效应晶体管都集成在一个单片芯片中。这使得该设备具有3.85 mm x 2.59 mm x 0.63 mm的芯片级LGA封装尺寸。

在半桥拓扑中的两个eGaN输出场效应晶体管被设计成具有相同的RDS(on)。将eGaN FET与片上栅极驱动缓冲器集成在一起，实际上消除了共源电感和栅极驱动环路电感的影响。单片集成结合使用低电感LGA焊球的引脚布局，使得高电流输出节点可以在全负载下以高达3 MHz的PWM频率在1 ns内切换。

浮动自举电源的充电路径通过由同步电路驱动的氮化镓场效应晶体管集成实现。这消除了对外部自举二极管的需求，外部自举二极管相关的反向恢复电荷在高频开关时可能会导致显著的功率损耗。这种同步自举充电电路还最小化了自举充电路径中的电压降，以确保自举电源有足够的电压。

从低侧到高侧通道的坚固电平转换器即使在大负箝位电压下也能正确工作，并且可以避免由于超过100 V/ns的快速dv/dt瞬态而导致的误触发。基于被驱动输出场效应晶体管反馈的内部栅极驱动电压调节确保了安全的栅极电压水平，同时仍能使输出场效应晶体管处于低RDS(on)状态。此外，独立的高侧和低侧欠压锁定（UVLO）电路提供了额外的保护，其锁定电平参考栅极驱动缓冲电路，以避免输出场效应晶体管在高RDS(on)状态下工作。

EPC2152设备能够与使用标准3.3 V或5 V CMOS逻辑电平的数字控制器接口。独立的高侧和低侧逻辑控制输入允许外部控制器设置死区时间，以实现最佳运行效率。

• 降压和升压转换器
• 半桥、全桥或LLC隔离型转换器
• D类开关音频放大器
• 单相和三相电机驱动逆变器