温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 红外发射管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 波长 | 860nm | |
| 辐射强度(Ie) | 2.5mW/sr@IF=30mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向电流(If) | 50mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 半波宽 | 26nm |
商品概述
近红外（NIR）表面贴装芯片LED，采用AlGaAs材料，封装于透明无色树脂中。
应用领域
消费、工业
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 红外发射管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 波长 | 860nm | |
| 辐射强度(Ie) | 2.5mW/sr@IF=30mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向电流(If) | 50mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 半波宽 | 26nm |
近红外（NIR）表面贴装芯片LED，采用AlGaAs材料，封装于透明无色树脂中。
消费、工业