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NT5AD256M16E4-JR
DDR4-4Gb E-Die SDRAM
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- 描述
- 特性：数据完整性。由DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）。自动刷新和自刷新模式-DRAM访问带宽。按存储体组分开的IO门控结构。自刷新中止。精细粒度刷新-信号同步
- 品牌名称
- Nanya(南亚科技)
- 商品型号
- NT5AD256M16E4-JR
- 商品编号
- C24890348
- 商品封装
- Ball-96
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- 数据完整性
- 通过DRAM内置温度传感器实现自动自刷新
- 支持自动刷新和自刷新模式
- DRAM访问带宽
- 按存储体组分离的输入输出门控结构
- 自刷新中止
- 细粒度刷新
- 信号同步
- 通过模式寄存器设置进行写入均衡
- 通过多用途寄存器进行读取均衡
- 可靠性与错误处理
- 命令/地址奇偶校验
- 数据总线写入循环冗余校验
- 多用途寄存器读取
- 边界扫描
- 封装后修复
- 信号完整性
- 内部数据参考电压训练
- 读取前导码训练
- 降速模式
- 每DRAM可寻址性
- 可配置驱动强度以提升系统兼容性
- 可配置片内终端匹配
- 数据总线反转
- 通过外部ZQ焊盘进行ZQ校准，以实现驱动强度和片内终端匹配阻抗的精确控制
- 节能与效率
- 采用伪开漏接口并配合数据电源电压终端匹配
- 命令/地址延迟
- 最大节能模式
- 低功耗自动自刷新
- 可编程功能
- 输出驱动器阻抗
- 列地址选通写入延迟
- 附加延迟
- 片选至命令地址延迟
- 命令地址奇偶校验延迟
- 写入恢复时间
- 突发类型
- 停车状态终端电阻
- 正常操作终端电阻
- 写入操作终端电阻
- 读取前导码
- 写入前导码
- 突发长度
- 低功耗自动自刷新
- 选项
- 速度等级
- 3200 Mbps / 22-22-22
- 2666 Mbps / 19-19-19
- 温度范围
- 商业级：0°C ~ 95°C
- 工业级：-40°C ~ 95°C
- 宽温工业级：-40°C ~ 105°C
- 准工业级：-40°C ~ 95°C
- 封装信息
- 符合无铅RoHS标准且无卤素
- 未使用美国有毒物质控制法案中的5种优先评估物质
- 电源电压
- 1.2V / 1.2V / 2.5V
- 密度与寻址