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PE42562A-X
SP6T RF开关，9kHz - 8GHz
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- 描述
- 是一款采用HaRP™技术增强的吸收式SP6T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以实现无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，适用于高达8 GHz的测试与测量以及无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。如果射频端口上不存在直流电压，则无需阻塞电容。采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE42562A-X
- 商品编号
- C24834148
- 商品封装
- QFN-24
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀六掷 | |
| 频率 | 9kHz~8GHz | |
| 隔离度 | 27dB | |
| 插入损耗 | 2.8dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 33dBm | |
| 工作电压 | 2.3V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 热切换能力；集成控制逻辑 |
商品概述
PE42562是一款采用HaRP技术增强的吸收式SP6T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。该器件提供一个外部VSS引脚，可用于旁路内部负压发生器，从而实现无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间的特点，使其非常适合在高达8 GHz的测试测量和无线应用中进行滤波器组切换和射频信号路由。如果射频端口不存在直流电压，则无需使用隔直电容。PE42562采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种先进的专利绝缘体上硅技术。pSemi的HaRP技术增强功能提供了高线性度和出色的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具GaAs的性能与传统CMOS的经济性和集成度。
商品特性
- 高隔离度：35 dB @ 6 GHz
- 低插入损耗：1.1 dB @ 6 GHz
- 快速切换时间：210 ns
- 功率处理能力：33 dBm CW
- 逻辑选择引脚提供最大的控制逻辑灵活性
- 所有端口均端接的关断状态模式
- 外部VSS引脚以消除杂散
- 封装：24引脚4×4×0.85 mm QFN
应用领域
- 测试测量
- 高达8 GHz的无线应用
- 滤波器组切换
- 射频信号路由