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IXFN120N65X2

650V N沟道增强型功率MOSFET

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描述: 特性：国际标准封装-miniBLOC，带氮化铝隔离。隔离电压 2500V。高电流处理能力。快速本征二极管。雪崩额定。低 RDS(on)。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC 转换器
品牌名称: Littelfuse/IXYS
商品型号: IXFN120N65X2
商品编号: C24785928
商品封装: SOT-227
包装方式: 管装
商品毛重: 43.965克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术，适用于中/高压MOSFET，具有单位面积极低的导通电阻RDS(on)，并配备快速恢复二极管。基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺，可优化器件结构。快速恢复二极管具有极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr）和导通电阻RDS(on)，使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。

商品特性

国际标准封装
miniBLOC,带氮化铝隔离
隔离电压 2500 V 及以上
高电流处理能力
快速本征二极管
雪崩额定
低导通电阻 RDS(on)
高功率密度
易于安装
节省空间

应用领域

开关模式和谐振模式电源
直流-直流转换器
功率因数校正(PFC)电路
交流和直流电机驱动器
机器人技术和伺服控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	108A
	导通电阻(RDS(on))	24mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	890W
	阈值电压(Vgs(th))	5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	240nC@10V
	输入电容(Ciss)	14nF
	反向传输电容(Crss)	5.5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	8.7nF