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BXK9Q29-60EJ
N沟道 60V 21A
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT8002-3 (MLPAK33) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BXK9Q29-60EJ
- 商品编号
- C24750518
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为小型SOT8002-3（MLPAK33）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 在175°C下完全符合AEC-Q101汽车级标准
- 侧面可焊边，便于光学焊锡检查
应用领域
- LED照明
- 开关电路
- DC-DC转换