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IPB339N20NM6ATMA1实物图
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IPB339N20NM6ATMA1

IPB339N20NM6ATMA1

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商品型号
IPB339N20NM6ATMA1
商品编号
C24482343
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)39A
导通电阻(RDS(on))24.2mΩ@15V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))3.7V
栅极电荷量(Qg)15.9nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.2nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)190pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • N沟道,常电平
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS\left( on\right) 乘积(品质因数FOM)
  • 极低的反向恢复电荷 \left(Qrr\right)
  • 高雪崩能量额定值
  • 175℃工作温度
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 根据IEC61249-2-21标准无卤
  • 根据J-STD-020标准,湿度敏感度等级为1级
  • 100%经过雪崩测试

应用领域

  • 开关稳压器应用

数据手册PDF