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G160N04S2
耐压:40V 电流:9A
- 描述
- 类型：N+N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 阈值电压(Vgs(th))：2.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：23mΩ@10V 32mΩ@4.5V 封装：SOP-8 Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G160N04S2
- 商品编号
- C24426161
- 商品封装
- SOP-8Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G160N04S2采用先进的沟槽技术，具备出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS:40V
- ID(VGS=10V 时):9A
- RDS(ON)(VGS=10V 时):15mΩ
- RDS(ON)(VGS=4.5V 时):21mΩ
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC 转换器