- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NT5AD512M16C4-JR
DDR4 8Gb SDRAM
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- 描述
- 特性：基于DDR4标准。 8n预取架构。 差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)。 DQS、DQS和DM上的双倍数据速率-DRAM访问带宽。 按存储体组分开的I/O门控结构。 自刷新中止
- 品牌名称
- Nanya(南亚科技)
- 商品型号
- NT5AD512M16C4-JR
- 商品编号
- C24169788
- 商品封装
- TFBGA-96
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.293939克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- 符合DDR4标准基础规范
- 8n预取架构
- 差分时钟（CK/CK）与数据选通（DQS/DQS）
- 数据线、数据选通和数据掩码采用双倍数据速率
- 按存储体组分离的输入/输出门控结构
- 自刷新中止
- 精细粒度刷新
- 通过模式寄存器设置实现写入电平校准
- 通过多用途寄存器实现读取电平校准
- 命令/地址奇偶校验
- 数据总线写入循环冗余校验
- 多用途寄存器读出
- 边界扫描（X16位宽）
- 封装后修复
- 通过内存内置温度传感器实现自动自刷新
- 自动刷新与自刷新模式
- 内部数据参考电压训练
- 读取前导码训练
- 降速模式
- 每内存可寻址性
- 可配置驱动强度以提升系统兼容性
- 可配置片内终端电阻
- 数据总线翻转
- 通过外部ZQ焊盘（240 Ω ± 1%）进行ZQ校准，以确保驱动强度/片内终端电阻阻抗精度
- 采用点对点端接的伪开漏接口
- 命令/地址延迟
- 最大省电模式
- 低功耗自动自刷新
- 可编程输出驱动器阻抗（34/48）
- 可编程列地址选通写入延迟（9/10/11/12/14/16/18/20）
- 可编程附加延迟（0/CL-1/CL-2）
- 可编程片选至命令地址延迟（3/4/5/6/8）
- 可编程命令地址奇偶校验延迟（4/5/6）
- 可编程写入恢复时间（10/12/14/16/18/20/24）
- 可编程突发类型（顺序/交错）
- 可编程停车终端电阻（34/40/48/60/80/120/240）
- 可编程标称终端电阻（34/40/48/60/80/120/240）
- 可编程写入终端电阻（80/120/240）
- 可编程读取前导码（1T/2T）
- 可编程写入前导码（1T/2T）
- 可编程突发长度（BL8/BC4/BC4或BL8动态切换）
- 可编程低功耗自动自刷新（手动：正常/缩减/扩展；自动：温度传感器控制）
- 速度等级（CL-TRCD-TRP）：2666 Mbps / 19-19-19；3200 Mbps / 22-22-22
- 工作温度范围（Tc）：商业级：0°C ~ 95°C；工业级（-1）：-40°C ~ 95°C；准工业级（-T）：-40°C ~ 95°C；宽温工业级（-U）：-40°C ~ 105°C
- 符合无铅RoHS标准且无卤素
- 未使用TSCA中的5种持久性、生物累积性和毒性物质
- 电源电压：VDD/VDDQ/VPP = 1.2V / 1.2V / 2.5V
- 当工作温度高于95°C时，交流/直流参数将降额