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SIS476DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：开关模式电源。 个人电脑和服务器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS476DN-T1-GE3
- 商品编号
- C269267
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 409A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.04nF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 第四代功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 开关模式电源-个人电脑和服务器-电信模块电源-电压调节模块和负载点电源
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