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IXFH52N30Q
N沟道 耐压:300V 电流:52A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 国际标准封装。 环氧树脂符合UL94V-0阻燃等级。 低RDS(on) HDMOS™工艺。 坚固的多晶硅栅极单元结构。 雪崩能量和电流额定。 快速本征整流器。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFH52N30Q
- 商品编号
- C24131434
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.01nF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 国际标准封装
- 环氧树脂符合UL 94V - 0阻燃等级分类
- 采用低导通电阻（RDS(on)）的HDMOSTM工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 雪崩能量和电流额定
- 快速本征整流器
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