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G170P02D32
P沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- 类型：P+P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-20A 阈值电压(Vgs(th))：-1.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：15mΩ@4.5V 封装：DFN3X3-8L Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G170P02D32
- 商品编号
- C24123654
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.193nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 276pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
G170P02D32采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS -20V
- ID(VGS = -10 V 时) -20A
- RDS(ON)(VGS = -4.5V 时) < 21 m Ω
- RDS(ON)(VGS = -2.5V 时) < 27 m Ω
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器