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STH60N099DM9-2AG
采用H2PAK-2封装的汽车级600V N沟道功率MOSFET
- 描述
- 这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术，适用于中/高压MOSFET，具有单位面积极低的导通电阻（RDS(on)），并配备快速恢复二极管。基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺，可优化器件结构。该快速恢复二极管具有极低的反向恢复电荷（Qrr）、反向恢复时间（trr）和导通电阻（RDS(on)），使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH60N099DM9-2AG
- 商品编号
- C23984841
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.811625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术,适用于中/高压MOSFET,具有单位面积极低的导通电阻RDS(on),并配备快速恢复二极管。基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺,可优化器件结构。快速恢复二极管具有极低的恢复电荷(Qrr)、恢复时间(trr)和导通电阻RDS(on),使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 快速恢复体二极管
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt耐受能力
应用领域
-高效开关应用