- 引脚图
- 焊盘图
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SIJ4819DP-T1-GE3
SIJ4819DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJ4819DP-T1-GE3
- 商品编号
- C23968557
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.05nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |