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RP506K001F-TR实物图
  • RP506K001F-TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RP506K001F-TR

RP506K001F-TR

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
Nisshinbo
商品型号
RP506K001F-TR
商品编号
C2477459
商品封装
DFN-10-EP(2.5x2.7)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型降压型
工作电压2.5V~5.5V
输出电压600mV~4V
输出电流2A
开关频率1.2MHz
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃@(TA)
同步整流
输出通道数1
拓扑结构降压式
开关管(内置/外置)内置
输出类型可调

商品概述

RP506K是一款低供电电流的CMOS基PWM/VFM降压DC/DC转换器,具有同步整流功能,输出电流为2A。内部包括振荡器、基准电压单元、误差放大器、开关控制电路、模式控制电路、软启动电路、锁存型保护电路、欠压锁定(UVLO)电路、热关断电路和开关晶体管。RP506K通过使用同步整流代替二极管来提高整流效率,这不仅增加了电路性能,还允许减少元件数量。

可以通过向MODE引脚输入信号选择强制PWM控制类型或PWM/VFM自动切换控制类型的功率控制方法。在低输出电流时,强制PWM控制以固定频率切换以降低噪声。同样,在低输出电流时,PWM/VFM自动切换控制会自动从PWM模式切换到VFM模式以实现高效率。

输出电压类型可以选择内部固定输出电压类型(RP506Kxx1A/B/D/E)或外部可调输出电压类型(RP506K001C/F)。RP506Kxx1A/B/D/E的输出电压可以按0.1V步进设置,输出电压精度高达±1.5%或±18mV。RP506K001C/F的输出电压可以通过外部电阻设置。

振荡器频率可以选择2.25MHz(RP506Kxx1A/B/C)或1.2MHz(RP506Kxx1D/E/F)。软启动时间通常为0.15ms,并且通过将外部电容连接到TSS引脚上,软启动时间是可调节的。电源良好(PG)功能监测VOUT引脚电压或反馈引脚电压(VFB),如果检测到任何异常情况,则将PG引脚切换至低电平。

RP506K中包含的保护电路有过流保护电路、锁存型保护电路和热关断电路。过流保护电路监控每个开关周期中的电感峰值电流,如果电流超过Lx电流限制(ILxLIM),则关闭P沟道晶体管。如果过流状态持续或者VOUT持续等于或低于设定电压的一半达到保护延迟时间(tprot),锁存型保护电路将内置驱动器锁定在关闭状态并停止降压DC/DC转换器的操作。热关断电路检测到如输出引脚短接到地引脚(GND)等情况导致的转换器过热,并在结温超过指定温度时停止转换器操作以防止损坏。

RP506K采用DFN(PLP)2527-10封装,实现了板上的高密度安装。

商品特性

  • 供电电流:典型48 μA(VFM模式,Lx无负载)
  • 待机电流:典型0 μA
  • 输入电压范围:2.5 V至5.5 V(绝对最大额定值:6.5 V)
  • 输出电压范围:
    • 固定输出电压类型(RP506Kxx1A/B/D/E):0.6 V至3.3 V,步进0.1 V
    • 可调输出电压类型(RP506K001C/F):0.6 V至4.0 V
  • 输出电压精度:±1.5%(VSET ≥ 1.2 V),±18 mV(VSET < 1.2 V)(RP506Kxx1A/B/D/E)
  • 反馈电压精度:±9 mV(VFB = 0.6 V)(RP506K001C/F)
  • 输出电压/反馈电压温度系数:±100 ppm/℃
  • 振荡器频率:
    • 典型2.25 MHz(RP506Kxx1A/B/C)
    • 典型1.2 MHz(RP506Kxx1D/E/F)
  • 振荡器最大占空比:最小100%
  • 内置驱动器导通电阻:典型P沟道0.130 Ω,N沟道0.125 Ω(VIN = 3.6 V)
  • UVLO检测阈值:典型2.2 V
  • 电感电流限制电路:电流限制典型2.8 A
  • 锁存型保护电路:典型1.5 ms
  • 封装:DFN(PLP)2527-10

应用领域

  • 电源供应器 - 用于锂离子电池设备
  • 电源供应器 - 用于便携式通信设备、摄像机、DSC、笔记本电脑
  • 电源供应器 - 用于HDD、WLAN

数据手册PDF

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(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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