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RQ3C150BCTB
1个P沟道 耐压:20V 电流:37A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率封装 (HSMT8)。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 无卤。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：开关负载开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3C150BCTB
- 商品编号
- C266247
- 商品封装
- HSMT-8(3x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 790pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 890pF |