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R1218N031A-TR-FE实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

R1218N031A-TR-FE

R1218N031A-TR-FE

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
Nisshinbo
商品型号
R1218N031A-TR-FE
商品编号
C2469787
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.041克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型升压型
工作电压1.8V~5.5V
输出电压13V~15V
输出电流700mA
开关频率1.2MHz
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃@(TA)
同步整流
输出通道数1
拓扑结构升压式
开关管(内置/外置)内置
输出类型-

商品概述

R1218x系列是低供电电流的PWM控制型升压DC/DC转换器IC。R1218x完全专用于以恒定电流驱动白色LED。这些IC每个都由一个NMOS FET、振荡器、PWM比较器、电压参考单元、误差放大器、电流限制电路、欠压锁定电路(UVLO)和过压保护电路(OVP)组成。

R1218x可以高效且低供电电流地驱动白色LED。R1218xxx1A内置了一个二极管,无需外部二极管即可驱动多达4个LED。R1218xxx2A需要外部二极管,但可以驱动多达7个串联LED。

可以通过外部电阻值设置恒定电流。通过CE引脚上的PWM信号可以实现调光控制。反馈电压为0.2V,这使得电流设置电阻的功率损耗较小且效率良好。最大占空比内部固定,通常为91%至92%。可以从低电压驱动LED。保护电路包括Lx峰值电流的电流限制、输出的过压限制以及欠压锁定功能。

封装形式有标准SOT-23-6和非常小的DFN(PLP)182。

商品特性

  • 输入电压:1.8V 至 5.5V
  • 内置400mA,1.5Ω,20V N沟道MOSFET和二极管(R1218xxx1A)
  • 内置400mA,1.5Ω,33V N沟道MOSFET(R1218xxx2A)
  • 振荡器频率(PWM控制):1.2MHz
  • 最大占空比:典型值91%至92%
  • 反馈电压:典型值0.2V
  • UVLO阈值电压:典型值1.6V(迟滞典型值0.1V)
  • Lx电流限制保护:典型值700mA
  • 过电压保护(OVP)阈值:
    • R1218x021A:典型值9.5V
    • R1218x031A:典型值14.0V
    • R1218x041A:典型值18.5V
    • R1218x052A:典型值23.0V
    • R1218x062A:典型值27.5V
    • R1218x072A:典型值31.5V
  • LED调光控制:通过外部PWM信号(频率200Hz至5kHz)到CE引脚,由反馈电压和滤波后的PWM信号(高频)进行
  • 封装:DFN(PLP)1820-6,SOT-23-6

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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